混合CMOS芯片堆叠层数大幅度的进步 有助电子设备小型化和功用进步
发布时间：2025-10-22 浏览次数：1 作者: 新闻中心
沙特阿卜杜拉国王科技大学研讨人员在微芯片规划范畴创下新纪录，成功研制出全球首个面向大面积电子器件的6层堆叠式混合互补金属氧化物（CMOS）芯片。此前揭露报导的混合CMOS堆叠层数从未超越两层，这一打破标志着芯片集成密度与能效迈上新台阶，有助电子设备的小型化和功用进步。
CMOS芯片简直存在于一切电子设备中，从手机、电视到卫星和医疗仪器。与传统硅基芯片比较，混合CMOS芯片在大面积电子范畴更具优势，有望在柔性电子、才智医疗和物联网等范畴发挥重要作用。
长期以来，职业一向依托缩小晶体管尺度来进步集成密度，但已挨近量子力学的极限，一起本钱也在急剧上升。要继续推动芯片功用，有必要走出平面扩展的思路，笔直堆叠晶体管是最具潜力的方向之一。
芯片多层堆叠的最大应战在于制作温度。惯例工艺往往需求几百摄氏度的高温，这在增加新层时可能会损坏基层结构。而新方法中，一切工艺过程的温度均未超越150，大都过程乃至挨近室温完结，显着降低了资料受损危险。
此外，层与层之间的外表有必要尽可能润滑。新规划中改进了工艺，使外表平整度优于以往。而在笔直堆叠中，层间准确对准特别的重要，研讨团队也在这方面明显优化了制作流程。
在微芯片规划中，中心方针就是在更小的空间里完成更高功用。此次研讨经过优化多个关键过程，为笔直扩展与功用密度的逐渐进步供给了一条可行途径。
